晶振的主要參數
發布日期:2019-07-19
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1、標稱頻率
該頻率特指晶體技術條件中規定的頻率，通常標識在產品外殼上。表示為MHz或KHz。
2、調整頻差
標稱頻率在一定溫度（一般是25±2℃）時工作頻率相對于標稱的頻率所允許的偏差，表示為百分數（%）或百萬分之幾（ppm）。
3、頻率穩定性
穩定性是指標稱頻率在一定溫度范圍內的允許偏差，規定在25℃下，此項偏差為0，以標稱頻率的百分數（%）或百萬分之幾（ppm）來表示。如前所述，這個參數與石英晶片的切角密切相關。
4、工作溫度范圍
石英晶體元器件在規定的誤差內工作的溫度范圍。
5、溫度頻差
在規定條件下，在工作溫度范圍內相對于基準溫度（25℃±2℃）時工作頻率的允許偏差。
6、儲存溫度
晶體在非工作狀態下保持標準特性的溫度范圍。
7、激勵功率（Drive level ）
晶體工作時所消耗功率的表征值。
最大功率是大多數功率器件在保證正常電氣參數的情況下，維持工作所消耗的功率，單位為mW或uW。一般情況激勵功率應維持在確保石英晶體正常起振和穩定振蕩所需要的最低值，以避免年老化特性不良和晶體損傷。
8、負載電容（CL）
與晶體一起決定負載諧振頻率的有效外界電容。任何外部電容一旦與石英晶體串聯，即會成為其諧振頻率的一個決定因素。負載電容變化時，頻率也會隨之改變。因此，在電路中使用時，經常會以標準負載電容來微調頻率至期望值。
9、靜態電容（C0）
等效電路中與串聯臂并接的電容,也叫電容,通常用C0表示。
10、等效串聯電阻（Rr）
晶體在諧振頻率下的電阻值，單位為歐姆（Ω）。
11、絕緣電阻(Ω歐姆1歐=1k歐)
引線之間或引線和殼體之間的電阻。
12、DLD2
在特定的功率范圍內所測量到的最大與最小阻抗的偏差量。
13、RLD2
在指定的變化功率范圍內測量到的最大阻抗。
14、老化率
工作頻率在特定時間范圍內的變化量，一般表達為最大值，單位是每年頻率變化量的百萬分之幾（ppm/年）。頻率隨時間而變化的原因有很多，如：密封性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。
15、電源和負載
晶體振蕩器的頻率穩定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負載變動的影響。一般考慮為+/-5%或+/-10%。
16、輸出波形
晶體振蕩器有CMOS、TTL、CMOS/TTL兼容、PECL和正弦波輸出。
17 、起動時間
晶體振器從起動到穩定輸出的時間，用ms表示。
18 、上升時間 /下降時間
波形前沿/后沿在兩規定電平之間變化的時間間隔，兩個電平可以是VOL和VOI兩個邏輯電平或是其最大幅度的10%和90%（VHT-VLO）
VOL——低電平輸出電壓；
VOH——高電平輸出電壓；
VHI ——脈沖波形的高電平電壓；
VLO——脈沖波形的低電平電壓。
19 、對稱性（占空比）
輸出電壓達到規定電平之上用的時間t1與輸出電壓達到該規定電平以下用的時間t2之比，用占信號整個周期的百分數表示。規定電平可以是VOL和VOH之間的算術平均值或幅度峰—峰值的50%。比值表示為： DUTY=t1/(t1+t2) 。
20 、抖動
抖動與相位噪聲相關，但是它在時域下測量。抖動是對信號時域變化的測量結果，它從本質上描述了信號周期距離其理想值偏離了多少。以微微秒(ps)表示的抖動可用有效值或峰—峰值測出。
